刮涂法：国家公司G高经常使用如玻璃钢刮刀、国家公司G高牛角刮刀、塑料刮刀、硬胶皮片等金属或者非金属手工刮涂工具，将物体表面各种厚浆型防水涂料或者缝隙等多余的部分刮涂掉。
电网道建（h）与H2浓度和生长温度相关的KxMoS2生长MoS2相图。（4）与传统硅基器件的加工技术兼容，地数据速通可快速实现二维器件的规模化、高集成度应用。
【成果简介】近日，中心北京大学刘开辉研究员（通讯作者）等人回顾并提出了二维单晶可控生长过程中的四个关键因素，中心即成核控制、生长促进、表面调控和杂相抑制。（b，国家公司G高c）单晶石墨烯和Cu（111）的低能电子衍射图。基于现有的研究成果，电网道建作者对大尺寸二维单晶生长作出了更加系统深入的认识。
地数据速通晶核控制与生长促进是单个晶核长大形成大尺寸二维单晶的关键因素。中心（g） MoS2的相选择生长策略示意图以及KxMoS2形成能差异与钾浓度的关系。
同时，国家公司G高一些具有可控层数和形貌的功能纳米材料也可以利用二维单晶模板来制备。
电网道建（b）对应的石墨烯SEM图像。 图四、地数据速通表面调控（a）Cu（111）上生长取向一致的石墨烯晶畴光学图。
当今社会，中心人们亟需开发一系列全新的材料，以促进日趋放缓的硅基器件制程发展。国家公司G高（j）大尺寸Cu（110）上的取向一致的hBN晶畴。
电网道建（b）MoS2的相变过程中的原子分辨STM图像。 【图文导读】图一、地数据速通二维单晶生长四个关键因素的示意图图二、成核控制（a）液体Cu表面生长石墨烯的示意图。
